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Multi-scenario solution
普赛斯IGBT功率器件静态参数测试解决方案
SiC/IGBT及其应用发展
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、高速开关特性和低导通状态损耗等特点,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
GaN HEMT射频器件参数测试
专注于半导体电性能测试
射频器件是实现信号发送和接收的基础部件,是无线通讯的核心,主要包括滤波器(Filter)、功率放大器(PA)、射频开关(Switch)、低噪声放大器(LNA)、天线调谐器(Tuner)和双/多工器(Du/Multiplexer)等类型器件。其中,功率放大器是放大射频信号的器件,直接决定移动终端和基站的无线通信距离、信号质量等关键参数。
数字源表在太阳能电池 I-V 特性测试上面的应用
材料研究-专注于半导体电性能测试
太阳能电池也叫光伏电池,其发电过程主要有三部分:第一,半导体材料吸收光能产生出非平衡的电子-空穴对或偶极子;第二,非平衡电子和空穴从产生处向势场运动,这种运动可以是扩散运动,也可以是漂移运动;第三,非平衡电子和空穴在势场的作用下向相反的方向运动而分离。在制作出太阳能电池后要对其进行测试和表征,以反映所得电池的性能。
太阳能电池从研发到生产,每个环节都有不同的测试需求,其光电特性包括伏安 I-V特性分析对推导有关太阳能电池性能的重要参数至关重要,主要包括最大电流 IMAX 和电压 VMAX、开路电压 VOC、短路电流 ISC、填充因子FF 以及转换效率η等。
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