分立器件

基于普赛斯数字源表(SMU)的忆阻器 基础性能研究测试解决方案

2025年3月7日 1096

本文介绍了忆阻器的理论基础、结构特性、阻变机制及材料体系，并提供了基于普赛斯数字源表(SMU)的忆阻器基础性能测试解决方案，涵盖直流、交流、脉冲特性及保持力测试。

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普赛斯GaN HEMT射频器件参数测试

2025年3月7日 1177

本文介绍GaN HEMT射频器件的参数测试，包括直流I-V特性、频率特性（S参数）和功率特性（Load-Pull测试），并详述普赛斯S/CS系列源表及P系列脉冲源表等测试系统的应用。

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光电探测器电性能参数测试

2025年3月7日 964

本文介绍了光电探测器（如PIN、APD、SPAD、SiPM）的电性能测试方案，重点阐述了利用普赛斯数字源表进行暗电流、反向击穿电压、C-V、响应度、串扰等参数的测试方法，并涵...

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大功率激光器老化测试系统解决方案

2025年3月7日 1373

本文介绍了大功率激光器老化测试的重要性及挑战，并详细阐述了普赛斯提供的千瓦级半导体激光器在线测试与老化系统解决方案，该系统具备大电流、窄脉冲、高稳定性等优势。

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普赛斯PL系列LIV窄脉冲测试系统助力VCSEL的测试应用更高效可靠

2025年3月7日 963

普赛斯PL系列窄脉冲LIV测试系统专为VCSEL激光器测试设计，支持ns级窄脉冲、30A大电流及峰值光功率检测，满足VCSEL在光通信、3D传感等应用中的高效可靠测试需求。

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普赛斯IGBT功率器件静态参数测试解决方案

2025年3月7日 1054

普赛斯提供IGBT功率器件静态参数测试解决方案，包括PMST系列系统，覆盖从实验室到产线的全场景测试，支持高电压大电流、高精度测量，适用于SiC、GaN等宽禁带半导体。

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普赛斯数字源表快速、准确进行三极管(BJT)特性分析

2025年3月7日 839

本文介绍了利用普赛斯数字源表进行三极管(BJT)特性分析的方案，涵盖输入/输出特性、极间反向电流、反向击穿电压及C-V测试，并针对不同功率器件推荐了S系列、P系列及HCP...

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普赛斯S系列、P系列源表简化场效应管（MOSFET）I-V特性分析

2025年3月7日 984

本文介绍了MOSFET I-V特性分析解决方案，涵盖输入/输出特性、阈值电压、漏电流、耐压及C-V测试等关键参数，并针对不同功率规格推荐使用普赛斯S系列、P系列或E系列源表进...

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高精度数字源表(SMU)在二极管特性参数分析中的应用

2025年3月7日 1163

本文介绍了使用普赛斯高精度数字源表（SMU）进行二极管特性参数分析，涵盖正向压降、反向漏电流、反向击穿电压及C-V特性测试，提供不同电流和电压范围的选型建议。

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