测试测量综合服务商-深圳市万博仪器仪表有限公司
| 型号 | 主要规格 |
| SP26A | 0.03%精度， 200V, 1.5A(直流)/10A（脉冲） |
| SP26S010L | 0.1%精度， 200V,30A(直流)/100A（脉冲） ,10pA |
| SP26S110L | 0.1%精度， 1200V,30A(直流)/100A（脉冲） ,10pA |
| SP26CV3 | 10Hz-1MHz |
|
TF夹具 |
标配：TO247/220/3P,
根据需要选配更多测试夹具， 如SOT23/89,TO252/263,DFN等， 请联系我们确 定封装。 |
低压脉冲I-V源测量 单元
- 精度0.1%或0.03%可选
- 直流、脉冲⼯作模式
- 最⼤电压300V，最⼤ 直流1A或3A可选，最 ⼤脉冲电流10A或30A 可选
- 最⼩电流分辨率1pA
- 最⼩脉宽200μs
- 四象限⼯作区间
- ⽀持⼆线，四线制测 试模式
- ⽀持GUARD保护
⾼压I-V源测量单元
- 精度0.1%
- 最⼤电压1200V， 最⼤直流100mA
- 最⼩电流分辨率 100pA
- ⽀持⼆线、四线制 测试模式
- ⽀持GUARD保护
⾼流I-V源测量单元
- 精度0.1%
- 直流、脉冲⼯作模式
- 最⼩脉宽80μs
- 四象限⼯作区间
- 最⼤电压100V，最⼤ 直流30A，最⼤脉冲 电流100A
- ⽀持⼆线、四线制测 试模式
- 最⼩电流分辨率10pA
- ⽀持GUARD保护
电压电容C-V测量 单元
- 基本精度0.5%
- 测试频率10HZ~3MHz，可 选配⾄10MHz
- ⽀持⾼压DC偏置， 最⼤偏置电压1200V
- 多功能AC性能测 试，C-V 、C-f 、C-t
模块电压电流源、测试指标
| 模块 | 低压脉冲I-V源测量单元 | 高压I-V源测量单元 | 高流I-V源测量单元 | |
| 精度 | 0.02% | 0.10% | 0.10% | |
| 最大电压量程 | 40V/200V | 1200V | 50V | 100V |
| 最小电压量程 | 100mV/200mV | 100V | 300mV | |
| 最小电压分辨率 | 5 μV | 10mV | 30μV | |
|
最大电流量程 |
1A(DC) /10A(脉冲） |
100mA |
30A（直流） /50A（脉冲） | 30A（直流）
/100A（脉冲） |
| 最小电流量程 | 100n A | 1μA | 100nA | |
| 最小电流分辨率 | 2 pA | 100pA | 10pA | |
| 最小脉冲宽度 | 100μs | N/A | 80μs | |
C-V测试
电容-电压测试⽤于判断多种不同器 件和结构的各种半导体参数，范围从 MOSCAP 、 MOSFET、双极结型晶体管和 JFET到III-V族化合物器件、
光伏（太阳 能）电池、 MEMS器件、有机薄膜晶体 管（TFT）显示器、光电⼆极管和碳纳 ⽶管。研发实验室⼴泛利⽤C-V测量技 术评测新材料、
⼯艺、器件和电路。负 责产品和良率增强的⼯程技术⼈员利⽤ 它们优化⼯艺和器件性能；可靠性⼯程 师利⽤这类测量技术对供货商的材料进 ⾏资格
检验，监测⼯艺参数，分析失效 机理。
| 项目 | 规格 |
| 测量频率 | 10Hz-1MHz |
| 测量频率分辨率 | 六位数 |
| 频率输出精准度 | ±0.01% |
| 基本精确度 | ±0.05% |
| 测试信号电压范 围 | 10mV-2Vrms |
| 电压最小分辨率 | 1mV |
| 准确度 | ALC OFF：10% * 设定电压：±2mV 、ALC
ON：6% * 设定电压：±2mV |
| 测试信号电流范 围 | 200μA-20mArms |
| 电流最小分辨率 | 10μA |
| 准确度 | ALC OFF：10% * 设定电流：±20μA、ALC
ON：6% * 设定电压：±20μA |
| DC测试信号位 准 | 1V(固定) |
| 输出阻抗 | 25Ω、100Ω (可切换) |
|
测量参数 |
|Z|(阻抗)、 |Y|(导纳)、θ(相位角)、X(电抗)、
R(串并联电阻)、G(电导)、B(电纳)、L(电感)、 D(损耗因数)、Q(品质因数)、DCR(直流电阻) 、 C(电容)、 Vdc-Idc(直流电压电流)、ESR(等效 串联电阻)、ε (相对介电系数)、μr (相对导磁 系数) |
系统特性
半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特 性参数测试。绝⼤多数半导体材料以及器件的参数 测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元
（SMU），具有四象限，多量程，⽀持四线测量等 功能，可⽤于输出与检测⾼精度、微弱电信号，是 半导体I-V特性测试的重要⼯具之⼀。
SP26系列配置有多种不同规格的SMU，如低压脉 冲SMU，⼤电流SMU。⽤户可根据测试需求灵活配 置不同规格，以及不同数量的搭配，实现测试测试 效率与开⽀的平衡。
| 器件类型 | 测试参数 |
| 二极管 | VBR、IR、VF、IF、Cd、I-V曲线、C-V曲线 等 |
| 光电探测器 PD 、APD、SPAD | ID、Ct、VBR、响应度R |
|
三极管 |
V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO 、IEBO、ICES、VCE(sat)、VBE(sat)、hFE 、Cob、输入特性曲线、输出特性曲线、C-V 特性曲线 |
| Si/SiC
MOSFET GaN HEMT |
V(BR)DSS、VGS(th)、IDSS、IGSS、
RDS(on)、VSD、Ciss、Coss、Crss、Rg、 gfs转移特性曲线、输出特性曲线、C-V特性 曲线 |
|
IGBT |
V(BR)CES、VCE(sat)、VF、VGE(th)、ICES 、IGES、gfs、Cies、Coes、Cres、转移特 性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线 |
| 电容 | IR、C、VBR |
|
光耦 |
IF、VF、IR、VR、V(BR)CEO、VCE(sat)、
ICEO、CT、CCE、CIO、VISO、CTR、输入 特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线 |
| 材料 | 表面电阻率、方块电阻率、霍尔效应（载流子 迁移率、载流子浓度、体电阻率） |
| 太阳能电池 | VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、填充因 子FF、转换效率η、Rs、Rsh |
| 型号 | 主要规格 |
| SP26A | 0.03%精度， 200V, 1.5A(直流)/10A（脉冲） |
| SP26S010L | 0.1%精度， 200V,30A(直流)/100A（脉冲） ,10pA |
| SP26S110L | 0.1%精度， 1200V,30A(直流)/100A（脉冲） ,10pA |
| SP26CV3 | 10Hz-1MHz |
|
TF夹具 |
标配：TO247/220/3P,
根据需要选配更多测试夹具， 如SOT23/89,TO252/263,DFN等， 请联系我们确 定封装。 |
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