测试测量综合服务商-深圳市万博仪器仪表有限公司
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。
软件界面及功能
CV测试界面
CV曲线图
| 模块 | VGS范围 | IGSS/IGE | VDS范围 | IDSS/ICES | 源测精度 |
|---|---|---|---|---|---|
| SMU | 0 - ±30V(选配) | ≥10pA(选配) | 0-±300 | ≥10pA | 0.03% |
| 0-±1200V | ≥1nA | 0.1% | |||
| 0-±2200V | ≥1nA | 0.1% | |||
| 0-±3500V | ≥1nA | 0.1% |
| 模块 | 测试频率 | 频率输出精确度 | 基本准确度 | AC测试信号准位 | DC测试信号准位 | 输出阻抗 | 量测范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCR | 10Hz-1MHz | ±0.01% | ±0.05% | 10mV至2Vrms
(1m Vrms 解析度) |
10mV至2V
(1m Vrms 解析度) |
100Ω | |Z|, R, X
0.001mΩ–99.999MΩ Cs、Cp 0.01pF – 9.9999F D 0.00001-9.999 DCR 0.001mΩ–9.999MΩ θ -180° -+180° |Y|, G, B 0.1nS–99.999S Ls Lp 0.1nH–9.999kH Q 0.1-9999.9 Δ% -9999%-999% |
*以上规格如有更新，恕不另行通知。
● 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调
● 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%
● 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容- 电压），C-T（电容- 时间），C-F（电容 - 频率）等多项测试测试功能
● 兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试
● 实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控
● 扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配
