普赛斯解决方案归档 - 第2页 共2页 - 测试测量综合服务商-深圳市万博仪器仪表有限公司

普赛斯PL系列LIV窄脉冲测试系统助力VCSEL的测试应用更高效可靠

VCSEL激光器LIV测试 专注于半导体电性能测试 概述 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种激光发射方向垂直于P-N结平面,而谐振腔面平行于P-N结平面的半导体激光器,它属于面发射激光器的一种。而EEL边...

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试解决方案

功率器件(IGBT)静态参数测试 专注于半导体电性能测试 概述 SiC/IGBT及其应用发展 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复...

普赛斯数字源表快速、准确进行三极管(BJT)特性分析

三极管电性能测试中通常关注输入/输出特性测试、极间反向电流测试、反向击穿电压 测试以及C-V测试，本方案详细介绍了利用数字源表进行三极管电性能测试的方案。

普赛斯S系列、P系列源表简化场效应管（MOSFET）I-V特性分析

场效应管(MOSFET)I-V特性分析 专注于半导体电性能测试 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体 器 件，可 以 广 泛 应 用 在 模 拟 电 路 和 数 字 电...

高精度数字源表(SMU)在二极管特性参数分析中的应用

深圳市万博仪器仪表有限公司-普赛斯自主研发高精度源表、脉冲恒流源、高压电源等专用台式仪表，具有高精度、高效率、应用范围广泛的优点，填补了国内源表市场的空白，率先实现国产化替代及产业化。

GaN HEMT射频器件参数测试

GaN HEMT射频器件参数测试 专注于半导体电性能测试 概述—射频 射频器件是实现信号发送和接收的基础部件,是无线通讯的核心,主要包括滤波器(Filter)、功率放大器(PA)、射频开关(Switch)、低噪声放大器(...

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试解决方案

赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。